Theo Phóng viên TTXVN tại Seoul, động thái này diễn ra chỉ ba tháng sau khi Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 - thế hệ HBM thứ 6, vào tháng 2/2026, cho thấy nỗ lực của tập đoàn công nghệ Hàn Quốc nhằm củng cố vị thế hàng đầu trên thị trường bộ nhớ AI thế hệ mới.
Samsung Electronics cho biết, mẫu HBM4E mới được phát triển trên nền tảng công nghệ DRAM 1c (thế hệ thứ 6 thuộc tiến trình 10 nanomet) kết hợp với quy trình sản xuất 4 nanomet, vốn đã được áp dụng cho thế hệ HBM4 trước đó.
Sản phẩm đạt tốc độ xử lý từ 14 Gbps đến tối đa 16 Gbps trên mỗi chân cắm, nhanh hơn hơn 20% so với thế hệ HBM4 hiện tại, khả năng truyền tải dữ liệu đạt 3,6 terabyte/giây trên một ngăn xếp bộ nhớ, qua đó giúp tối ưu hóa hiệu suất xử lý của các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) và các hệ thống AI thế hệ mới.
Bên cạnh cải thiện về tốc độ, dung lượng lưu trữ của sản phẩm cũng được nâng lên đáng kể. Phiên bản HBM4E 12 lớp có dung lượng 48GB, tăng hơn 30% so với thế hệ trước. Samsung dự kiến tiếp tục mở rộng dòng sản phẩm với các phiên bản 32GB (8 lớp) và 64GB (16 lớp) nhằm đáp ứng nhu cầu đa dạng của khách hàng toàn cầu.
Theo Samsung Electronics, các công nghệ tối ưu hóa thiết kế tiết kiệm năng lượng và cấu trúc đóng gói mới đã giúp hiệu suất năng lượng của HBM4E cải thiện 16%, trong khi khả năng tản nhiệt tăng hơn 14% so với mẫu tiền nhiệm. Hãng cho biết sẽ tiến hành sản xuất hàng loạt theo lịch trình của khách hàng ngay sau khi hoàn tất giai đoạn thử nghiệm mẫu.
Ông Hwang Sang Jun - Phó Chủ tịch điều hành phụ trách phát triển bộ phận kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics - cho biết, việc liên tiếp hoàn tất sản xuất HBM4 và cung cấp mẫu HBM4E đã giúp công ty củng cố vị thế dẫn đầu công nghệ trên thị trường bộ nhớ AI. Theo ông Hwang, Samsung sẽ tiếp tục mở rộng đầu tư hạ tầng sản xuất và duy trì lợi thế công nghệ để dẫn dắt tăng trưởng của thị trường bộ nhớ AI toàn cầu.
Hiện Samsung cũng đang mở rộng quy mô sản xuất và cung ứng HBM4 cho các khách hàng quốc tế. Theo giới phân tích, các đối tác toàn cầu đánh giá tích cực sản phẩm HBM của Samsung nhờ tốc độ xử lý cao và hiệu quả năng lượng cải thiện.
Trong khi đó, đối thủ SK Hynix cũng đang đẩy nhanh kế hoạch thương mại hóa HBM4E. Ban đầu, doanh nghiệp này dự kiến giao mẫu sản phẩm vào nửa cuối năm nay, song tiến độ phát triển thuận lợi gần đây có thể khiến lịch trình được rút ngắn, báo hiệu cạnh tranh trên thị trường bộ nhớ AI cao cấp sẽ ngày càng quyết liệt.
