Hãng SK hynix ngày 4/8 công bố bộ tiêu chuẩn kỹ thuật đầu tiên cho công nghệ High Bandwidth Flash (HBF), mở ra bước tiến mới trong cuộc đua phát triển bộ nhớ phục vụ trí tuệ nhân tạo (AI) và hướng tới thương mại hóa vào khoảng năm 2030.
Chip do công ty SK hynix sản xuất. Ảnh: Yonhap/TTXVN
Theo phóng viên TTXVN tại Seoul, bộ tiêu chuẩn do SK hynix phối hợp với hãng lưu trữ SanDisk phát triển, được giới thiệu tại Hội nghị Future of Memory and Storage (FMS) 2026 tại California (Mỹ) và công bố thông qua Open Compute Project (OCP), nhằm xây dựng hệ sinh thái lưu trữ AI mở.
HBF là công nghệ bộ nhớ trung gian giữa High Bandwidth Memory (HBM) và ổ cứng thể rắn (SSD), kết hợp tốc độ truyền dữ liệu cao của HBM với dung lượng lớn của flash NAND. Công nghệ này được kỳ vọng bổ trợ cho HBM, giúp nâng cao hiệu quả xử lý dữ liệu và giảm chi phí vận hành các hệ thống AI, đặc biệt trong lĩnh vực AI suy luận.
Bộ tiêu chuẩn mới hỗ trợ dung lượng tối đa 512 GB, băng thông từ 0,4 TB/giây đến 3 TB/giây và sử dụng chuẩn kết nối Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe), cho phép tích hợp với nhiều loại bộ xử lý như CPU và GPU.
SK hynix cho biết Google và Tenstorrent đã tham gia liên minh phát triển HBF, trong khi AMD và nhiều doanh nghiệp khác được kỳ vọng sẽ gia nhập. Giới chuyên môn nhận định việc hình thành tiêu chuẩn chung sẽ thúc đẩy quá trình thương mại hóa HBF trong những năm tới.
Động thái này diễn ra trong bối cảnh các hãng bán dẫn toàn cầu đang chuyển từ cuộc cạnh tranh chip nhớ hiệu năng cao sang phát triển các kiến trúc bộ nhớ tích hợp nhằm đáp ứng nhu cầu xử lý dữ liệu AI ngày càng tăng. Theo dự báo ngành, thị trường HBF có thể đạt gần 17.000 tỷ won (khoảng 12,2 tỷ USD) vào năm 2030.
Trong khi đó, Samsung Electronics cũng đang nghiên cứu HBF nhưng được đánh giá thận trọng hơn về lộ trình thương mại hóa. Nvidia hiện phát triển giải pháp lưu trữ riêng Inference Context Memory Storage (ICMS) cho các hệ thống AI thế hệ mới.