06:11 11/06/2020

Microchip giới thiệu dòng sản phẩm đi-ốt dập xung quá áp 3kW

Ngày 10/6, Microchip Technology Inc. đã công bố danh mục sản phẩm mới được mở rộng về mảng đi-ốt dập quá áp (Transient Voltage Suppressor - TVS) được thiết kế theo chiều dọc của mình – TVS MDA3KP - dòng sản phẩm đi-ốt 3kW với hơn 25 sản phẩm thành viên có các cấp độ lọc, cực tính và tiêu chuẩn đánh giá khác nhau.

Chú thích ảnh

Dòng sản phẩm mảng đi-ốt TVS MDA3KP của Microchip – công nghệ duy nhất hỗ trợ dải điện áp toàn diện và được đo kiểm theo tiêu chuẩn có độ tin cậy cao nhất cũng như được đánh giá theo chuẩn tương đương với cấp độ của chuẩn MIL-PRF-19500 JANTX - mang đến một giải pháp đa đi-ốt  tích hợp. Những thiết bị ghim điện áp này cung cấp các tính năng ABD (Avalanche Breakdown Diode - Đi-ốt ngắt Avalanche) phản ứng nhanh để ngăn không cho cường độ dòng điện rất lớn đi vào các linh kiện có độ nhạy cao nhằm bảo vệ chúng trước các sự cố quá áp.

Mảng đi-ốt TVS MDA3KP này có các phiên bản dưới đây theo tiêu chuẩn ngành: M, MA, MXL và MX. Thiết bị đã trải qua nhiều cấp độ đo kiểm khác nhau để đảm bảo rằng chúng đáp ứng được các yêu cầu chống sét của máy bay được quy định trong các tiêu chuẩn về đo kiểm môi trường của ngành hàng không, RTCA DO-160E (Lightening Induced Transient Susceptibility - Khả năng chống quá áp do sét gây ra). RTCA (the American Radio Technical Commission for Aeronautics - Ủy ban Kỹ thuật Vô tuyến cho ngành hàng không Hoa Kỳ) là hiệp hội của ngành với vai trò kiến tạo sự đồng thuận về các vấn đề quan trọng trong hiện đại hóa ngành hàng không.

Mảng đi-ốt TVS MDA3KP bao gồm 8-đi-ốt được bố trí theo chiều dọc, trên một đế 16-chân sử dụng công nghệ dán bề mặt, cho phép bố trí hiệu quả và thiết kế dễ dàng, với yêu cầu thấp hơn về diện tích bo mạch trong khi vẫn hỗ trợ được mật độ công suất cao hơn. Trong dòng sản phẩm mảng đi-ốt TVS MDA3KP, mỗi cấu trúc dọc của thiết bị đều cung cấp công suất của tám thiết bị nhỏ hơn trên một bo mạch chủ, loại bỏ yêu cầu sử dụng nhiều thiết bị kể trong khi vẫn cung cấp được công suất lớn hơn.